Lei de Moore pode se manter válida com novo material

A Intel e a IBM anunciaram um dos maiores avanços nos transistores em quatro décadas, o que supera um obstáculo frustrante ao garantir que os microchips possam se tornar ainda menores e mais poderosos. O avanço, obtido por meio de esforços separados de pesquisa anunciados na sexta-feira, envolve o uso de um exótico novo material para a produção de transistores -os pequenos comutadores que constituem os componentes básicos dos microchips. A tecnologia envolve uma camada de material que regula o fluxo de eletricidade pelos transistores. "No nível do transistor, os materiais básicos não foram alterados desde os anos de 1960. Por isso, se trata de um avanço importante", disse Dan Hutcheson, diretor da VLSI Research, uma consultoria do setor. "A Lei de Moore estava perto de travar completamente", acrescentou, em referência à máxima da indústria proposta por Gordon Moore, co-fundador da Intel, segundo a qual o número de transistores em um chip dobra a cada cerca de dois anos. A Lei de Moore vem sendo cumprida em chips menores e mais velozes, que passaram a integrar milhares de produtos, os quais agora respondem pelo grosso dos US$ 250 bilhões ao ano que setor de eletrônica movimenta. O mais recente avanço significa que Intel, IBM e outros fabricantes poderão levar adiante os planos de tecnologia que definem uma próxima geração de chips com circuitos de apenas 45 nanômetros de largura, cerca de duas mil vezes mais finos do que um fio de cabelo. A Intel informou que a nova tecnologia, baseada em um elemento químico prateado chamado háfnio, será usada em novos processadores que chegarão ao mercado este ano, e que a empresa espera que sejam capazes de reforçar vantagem diante da rival AMD. Performance "Esperamos que esses produtos ofereçam desempenho superior ao dos produtos existentes", disse Steve Smith, vice-presidente do grupo de operações digitais da Intel. "O que estamos vendo são excelentes ganhos de dois dígitos no desempenho com aplicativos de mídia." A IBM espera que sua tecnologia comece a ser usada no ano que vem em chips produzidos por seus parceiros, entre os quais a AMD e a japonesa Toshiba. Os pesquisadores estão otimistas com as expectativas de que a nova tecnologia poderá ser usada em pelo menos duas novas gerações de chips, com circuitos de apenas 22 nanômetros. "Estamos fazendo isso há 40 anos e chegamos a um ponto onde algumas dessas camadas (de transistores) que você tem que fazer menores não conseguem mais isso", disse o chefe de tecnologia da IBM, Bernie Meyerson. "Estamos chegando a um ponto da tecnologia onde as pessoas se perguntavam se poderíamos realmente estar e nós definitivamente mostramos um caminho para estas dimensões inacreditavelmente pequenas", disse Meyerson. Cinco átomos O problema com as tecnologias atuais é que a camada de silício que recobre os transistores tem atualmente apenas 5 átomos de espessura, o que significa um grande vazamento de eletricidade e perda de energia e duração de bateria menor. "É como abrir duas torneiras quando você somente precisa de uma. Estamos desperdiçando mais água do que conseguimos utilizar ", disse Jim McGregor, analista da empresa de pesquisa In-Stat. Os benefícios da nova tecnologia podem ser aplicados de várias maneiras. Transistores podem ficar menores, o que potencialmente dobra a quantidade deles em uma área específica. A velocidade deles pode ser ampliada em mais de 20% ou o vazamento de energia pode ser reduzido em 80% ou mais. "Os consumidores precisam cada vez mais de mobilidade e dispositivos que usem menos energia. Precisamos não somente fazer as coisas menores e mais eficientes, como também precisamos de consumo de energia menor", disse McGregor. Há vários desafios para se manter a validade da Lei de Moore. Por exemplo, está ficando cada vez mais difícil produzir feixes de luz estreitos o bastante para funcionarem em chips. "Mas essa nova tecnologia tira do caminho o que vinha sendo considerado como o maior obstáculo do caminho", disse Hutcheson, da VLSI.

Agencia Estado,

29 Janeiro 2007 | 18h47

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