Um grupo de cientistas do Massachusetts Institute of Technology (MIT) apresentou semana passada uma alternativa ao silício nos componentes eletrônicos, segundo a Technology Review (em inglês). Liderado por Jesús del Alamo, professor de engenharia elétrica, o grupo construiu um transistor (foto) feito de um composto semicondutor chamado arseneto de índio-gálio.
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O componente consegue trabalhar duas vezes mais rápido que um transistor de silício do mesmo tamanho. Pode ser uma alternativa para manter a validade da Lei de Moore, que diz que o número de transistores em um chip dobra a cada dois anos, num momento em que o silício chega próximo do seu limite. A Lei de Moore é atribuída a Gordon Moore, co-fundador da Intel.